Excelon™-LP 4 Mbit（512K × 8）串行（SPI）F-RAM  CY15B104QN/CY15V104QN

功能描述

Excelon-LP CY15X104QN 是采用了高级铁电工艺的低功耗 4 Mbit非易失性存储器。铁电性随机存取存储器（即 F-RAM）是一种非易失性存储器，它跟 RAM 一样，能够执行读和写操作。它提供 151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。与串行闪存和 EEPROM 不同的是，CY15X104QN 以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时，可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的写入耐久性。 CY15X104QN 能够提供 1014 次的读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有这些特性，因此 CY15X104QN 非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到工业控制需求 （其中串行闪存或 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失）。作为硬件替代时，CY15X104QN 为串行 EEPROM 或 Flash 的用户提供极大好处。 CY15X104QN 使用高速的 SPI 总线，从而可以改进 F-RAM 技术的高速写入能力。该器件包含一个只读的器件 ID 和唯一 ID 特性，通过它们，主机可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一 ID。该器件还提供可写的 8 字节序列号的寄存器，这些寄存器可用于识别特定电路板或系统。

性能

■ 4 Mbit 铁电性随机存取存储器 （F-RAM）的逻辑组织方式为512K x 8

❐ 提供了一百万亿次 （1014）的读 / 写周期，几乎为无限次数的耐久性。

❐ 151 年数据保留时间 （见第 20 页上的数据保留时间与耐久性）

❐ NoDelay™ 写操作

❐ 高级高可靠性的铁电工艺

■ 快速串行外设接口 （SPI）

❐ 高达 50 MHz 的频率

❐ 支持 SPI 模式 0 （0,0）和模式 3 （1,1）

■ 精密的写入保护方案

❐ 使用写保护 （WP）引脚提供硬件保护

❐ 使用写禁用 （WRDI）指令提供软件保护

❐ 可对 1/4、 1/2 或整个阵列进行软件模块保护

■ 器件 ID 和序列号

❐ 器件 ID 包含制造商 ID 和产品 ID

❐ 唯一 ID

❐ 序列号

■ 专用 256 字节特殊扇区 F-RAM

❐ 专用特殊扇区写和读操作

❐ 存储的内容可以在最多 3 个标准回流焊周期内保持不变

■ 低功耗

❐ 频率为 40 MHz 时，工作电流为 2.4 mA （典型值）

❐ 待机电流为 2.3 A （典型值）

❐ 深度掉电模式电流为 0.70 A （典型值）

❐ 休眠模式电流为 0.1 A （典型值）

■ 低电压操作

❐ CY15V104QN：VDD = 1.71 V 到 1.89 V

❐ CY15B104QN：VDD = 1.8 V 到 3.6 V

■ 商业级和工业级工作温度

❐ 商业级工作温度：0 °C 到 +70 °C

❐ 工业工作温度范围：–40 °C 至 +85 °C

■ 封装类型

❐ 8 pin 小型塑封集成电路 （SOIC）封装

❐ 8 pin 网格阵列四方扁平无引线 （GQFN）封装

■ 符合有害物质限制标准 （RoHS）

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